Samsung je izabrao da ignorise 5nm (realno uporediv sa TSMC-om) i da odmah krene da razvija 3nm sa novom Nanowire/Nanosheet GAA-FET tehnologijom. U medjuvremenu 5LPE sto fura je samo ispeglan 7nm proces i inferioran u odnosnu na TSMC NP5.
GAA-FET = Gate All Around tranzistor sa nano-zicama, odnosno nano-frotirima/pokrivacima/peskirima zavisno kod koga je i predstavlja zamenu za trenutni FIN-FET, i sledeca je velika nova tehnologija, veliki korak napred za procesore. (EUV litografija nije nesto odvojeno, nego samo "ostrije" orudje potrebno da se najefikasnije naprave stvari sa novom tehnologijom i predstavlja ne-razdvojivog saputnika za GAA-FET i sledece stvari posle) - Pandan na primer koriscenju dijamantskih vrhova za busilice umesto metalnih, samo primenjeno na lasere.
Da li ce se Samsung-u isplati odluka, i da li ce postati Lider sto juri GAA-FET ispred svih drugih videcemo (TSMC je odlucio da preskoci GAA-FET na 3nm i upotebi tek na 2nm, sto otvara prozor Samsung-u da uskoci)
U medjuvremenu IBM je dizajnirao 2nm GAA-FET verziju u saradnji sa Intel-om, sto je zanimljivo i trebalo bi da ubrza intel-ov 5nm GAA-FET (radi poredjenja Intel 5nm = TSMC 3nm = Samsung 3nm), dok je IBM uporediv sa generacijom posle ove (Intel 3nm = TSMC 2nm = Samsung 2nm)
Jos zanimljivije je da uz saradnju sa Intel-om IBM saradjuje i sa Samsung-om i GlobalFoundries, sto znaci da najverovatnije i Samsung ce imati koristi od IBM dizajna.
I zadnje zarad perspektive IBM-om 2nm dizajn ce najranije moci da se pretoci u fizicki/stvaran proizvod za ~4 godine, i tu uskace Samsung u pricu kao "dark horse" da izmajmunise nesto brze od toga za ~2 godine i razbubeca konkurenciju